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卒業研究テーマと概要


卒業研究の概要


  1. ナノデバイス構造の原子配列と電子状態
    半導体・金属・絶縁体のそれぞれの表面に構築されたナノデバイス構造の原子配列や電子状態をモンテカルロ法や分子軌道法、疑ポテンシャル法を用いたコンピュータシミュレーションによって研究する。
  2. ガス分子の吸着・拡散・脱離のコンピュータシミュレーション
    燃料電池において重要な金属の表面と水素原子・分子の相互作用、一酸化炭素や一酸化窒素などの有害ガス対策において重要な金属触媒表面でのガス分子の反応過程、ナノデバイス構築において重要な原子スケールでの原子配列制御など、吸着・拡散・吸収・脱離現象をコンピュータシミュレーションによって研究する。
  3. コンピュータシミュレーションの高速化および効率化
    テーマ1, テーマ2で使用される計算機シミュレーションを複数の計算機をネットワークで繋ぎ,並列計算を行うことにより,計算機シミュレーションを高速かつ効率的に行うための方法を研究する.

卒業研究テーマ


  1. 静的モンテカルロ法による表面構造
    現象論的模型に対しメトロポリスアルゴリズムを用いて表面での原子配列の温度変化や組成変化を研究する。
  2. 動的モンテカルロ法による表面動的過程
    マキシムの方法などを用いて表面拡散、結晶成長、昇華などの動的過程を研究する。
  3. 第一原理分子軌道計算による電子状態・原子配列
    クラスター模型を用い分子軌道法により表面の電子状態や原子配列を研究する。
  4. 経験的分子動力学計算による電子状態・原子配列
    経験的ポテンシャルを用い、運動方程式を直接解くことにより原子の運動を研究する。
  5. 第一原理疑ポテンシャル計算による電子状態・原子配列
    周期的に薄膜を並べた模型を用い表面の電子状態や原子配列を研究する。

    実際に取扱う物質は最新の学術論文から選択する。

過去の卒業研究題目


2007年度


  • 水素吸着シリコン(100)表面の第一原理計算
  • (110)表面吸着水分子の第一原理計算
  • 塩化ナトリウム結晶中のFセンターの第一原理計算

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